Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"V. Ouzeaud"'
Autor:
Roger Loo, C. Defranoux, B.J. Pawlak, L. Geenen, Tom Janssens, D. Vanhaeren, Trudo Clarysse, F. Dortu, V. Ouzeaud, I. Hoflijk, V.N. Faifer, W. Vandervorst, M. I. Current
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. :166-173
Understanding dopant diffusion and activation mechanisms is a key issue for future sub-45 nm CMOS technologies. This understanding requires the availability of accurate chemical and electrically active dopant profiles. In this work we will focus on t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e565dc98d2d0e24a8af4ff7fdb0fe660
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.07.047
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.07.047
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.