Zobrazeno 1 - 10
of 145
pro vyhledávání: '"V. Meli"'
Autor:
V. Meli, G. Navarro, J. Rottner, N. Castellani, S. Martin, N. P. Tran, G. Bourgeois, C. Sabbione, M. C. Cyrille
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::36807d2403994f576673105cfe58ddd2
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118339
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118339
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Trabelsi, C. Cagli, T. Hirtzlin, O. Cueto, M. C. Cyrille, E. Vianello, V. Meli, V. Sousa, G. Bourgeois, F. Andrieu
Publikováno v:
ESSCIRC 2022- IEEE 48th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9171e4c9feb2091247445bdd14f59ea5
https://doi.org/10.1109/esscirc55480.2022.9911461
https://doi.org/10.1109/esscirc55480.2022.9911461
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Dubreuil, P. Amari, S. Barraud, J. Lacord, E. Esmanhotto, V. Meli, S. Martin, N. Castellani, B. Previtali, F. Andrieu
Publikováno v:
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8bc20a5a6b01e7dc49bb3466c5217728
https://doi.org/10.1109/imw52921.2022.9779306
https://doi.org/10.1109/imw52921.2022.9779306
Autor:
G. Navarro, C. Sabbione, V. Meli, L. E. Nistor, M. Frei, J. Garrione, M. Tessaire, F. Fillot, N. Bernier, E. Nolot, B. Sklenard, J. Li, S. Martin, N. Castellani, G. Bourgeois, M. C. Cyrille, F. Andrieu
Publikováno v:
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c3f210bc05591e75b7ee6cd0bc1c042e
https://doi.org/10.1109/imw52921.2022.9779285
https://doi.org/10.1109/imw52921.2022.9779285
Autor:
A. Jannaud, Marianne Coig, J. Garrione, Mathieu Bernard, Marie-Claire Cyrille, F. Al Mamun, F. Mazen, B. Hemard, T. Magis, C. Socquet-Clerc, Gabriele Navarro, V. Meli, Guillaume Bourgeois, Emmanuel Nolot, Francois Andrieu, N. Bernier, J. P. Barnes, Eugénie Martinez, N. Castellani, C. Charpin, F. Milesi, C. Sabbione, F. Laulagnet
Publikováno v:
Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, In press, ⟨10.1016/j.microrel.2021.114221⟩
Microelectronics Reliability, Elsevier, In press, ⟨10.1016/j.microrel.2021.114221⟩
Microelectronics Reliability, In press, ⟨10.1016/j.microrel.2021.114221⟩
Microelectronics Reliability, Elsevier, In press, ⟨10.1016/j.microrel.2021.114221⟩
International audience; In this paper we investigate the effect of Carbon ion implantation in Ge$_2$ Sb$_2$ Te$_5$ based Phase-Change Memory (PCM) targeting reliability improvement in 4kb memory arrays. We show how ion implantation by beam line allow
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::70e57736ecd498b80119d3cb144b5aed
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-03373794
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-03373794
Publikováno v:
Osteoarthritis and Cartilage. 30:S69-S70
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::caba9dd9ae1ebd18d79a4698824c7796
https://doi.org/10.1016/j.joca.2022.02.083
https://doi.org/10.1016/j.joca.2022.02.083