Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"V. Makhnjuk"'
Autor:
V. Makhnjuk, A. I. Senkevich, A. P. Shpak, E. Buzaneva, V.I. Strikha, T. Vdovenkova, S. Litvinenko, V. V. Nemoshkalenko, V. Skryshevsky, P. Shevchuk
Publikováno v:
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 68:707-711
The influence of chemically active metal Al deposition on Ti - oxidized silicon interface at 300–430 C has been studied. The results of TiSi interface investigation after Al deposition on Ti layer and following annealing are compared with the co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c1fb47ae671e1d016a5d73f988681187
https://doi.org/10.1016/0368-2048(94)02178-3
https://doi.org/10.1016/0368-2048(94)02178-3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.