Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"V. Kerametlian"'
Autor:
Donald Y. C. Lie, Jiro Yota, Wei Xia, V. Kerametlian, R. Williams, Dim-Lee Kwong, Atul Joshi, R. Zwingman, Byoung Woon Min, Dennis Cerney
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Severe hot-carrier-induced device lifetime degradation has been observed on deep submicron N-MOSFETs after they are processed through the backend for multi-layer-metal interconnect. Our experimental data show that the hot-carrier lifetime degradation
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c44c6a645f784885d34dfc9a56d02ae
https://doi.org/10.1117/12.284599
https://doi.org/10.1117/12.284599
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.