Zobrazeno 1 - 10
of 43
pro vyhledávání: '"V. Katragadda"'
Autor:
H. Wu, V. Katragadda, E. Evarts, E. Edwards, R. Southwick, A. Dutta, G. Lauer, V. Mehta, R. Johnson, O. van der Straten, A. Reznicek, M. Wordeman, M. Rizzolo, R. Patlolla, D. Metzler, C. Yang, D. Edelstein, D. Canaperi, S. Teehan, J.M. Slaughter, D.C. Worledge
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5859f04041fcace30727c2e609d802a5
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720539
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720539
Autor:
Virat Mehta, Devika Sil, V. Katragadda, E. R. Evarts, J. DeBrosse, Sanjay Mehta, Richard G. Southwick, C. Long, Abraham Arceo, Dominik Metzler, Theodorus E. Standaert, A. Gasasira, C.-C. Yang, Son Nguyen, Raghuveer R. Patlolla, P. Nieves, D. Houssameddine, E. R. J. Edwards, V. Pai, Thomas M. Maffitt, Daniel C. Worledge, Michael Rizzolo, James Chingwei Li, O. van der Straten, J. Fullam, J. Morillo, Yaocheng Liu, Heng Wu, R. Johnson, Chu Isabel Cristina, J. M. Slaughter, T. Levin, S. McDermott, R. Pujari, Guohan Hu, James J. Demarest, Daniel C. Edelstein, Ashim Dutta, Yutaka Nakamura, M. Iwatake, M.R. Wordeman
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
We present the first Embedded Spin-Transfer-Torque MRAM (eMRAM) technology in a 14 nm CMOS node. A novel integration supports the highest eMRAM density (0.0273 um2 cell size), optimal magnetic tunnel junction (MTJ) placement between M1-M2 for perform
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7bd1db9bbbe44a73b965abe369e8b585
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371922
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371922
Autor:
Zade Holloway, Susan K. Murphy, Corinne Wells, Erica Pippen, Bruny Kenou, V Katragadda, Hannah White, Amir H. Rezvani, Andrew B. Hawkey, Edward D. Levin
Publikováno v:
NeuroToxicology. 87:258
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c83394ae65e2233be323ec4040bd105a
https://doi.org/10.1016/j.neuro.2021.08.009
https://doi.org/10.1016/j.neuro.2021.08.009
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mehonic, Adnan, Ielmini, Daniele, Roy, Kaushik, Mutlu, Onur, Kvatinsky, Shahar, Serrano-Gotarredona, Teresa, Linares-Barranco, Bernabe, Spiga, Sabina, Savel'ev, Sergey, Balanov, Alexander G., Chawla, Nitin, Desoli, Giuseppe, Malavena, Gerardo, Monzio Compagnoni, Christian, Wang, Zhongrui, Yang, J. Joshua, Sarwat, Syed Ghazi, Sebastian, Abu, Mikolajick, Thomas, Slesazeck, Stefan
Publikováno v:
APL Materials; Oct2024, Vol. 12 Issue 10, p1-59, 59p
Autor:
Diraco, Giovanni1 (AUTHOR) andrea.caroppo@cnr.it, Rescio, Gabriele1 (AUTHOR) giovanni.diraco@cnr.it, Caroppo, Andrea1 (AUTHOR), Manni, Andrea1 (AUTHOR), Leone, Alessandro1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Sensors (14248220). Jul2023, Vol. 23 Issue 13, p6040. 45p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Diraco, Giovanni1 (AUTHOR) giovanni.diraco@cnr.it, Rescio, Gabriele1 (AUTHOR) giovanni.diraco@cnr.it, Siciliano, Pietro1 (AUTHOR), Leone, Alessandro1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Sensors (14248220). Jun2023, Vol. 23 Issue 11, p5281. 33p.
Autor:
Ramesh, Ramamoorthy, Salahuddin, Sayeef, Datta, Suman, Diaz, Carlos H., Nikonov, Dmitri E., Young, Ian A., Ham, Donhee, Chang, Meng-Fan, Khwa, Win-San, Lele, Ashwin Sanjay, Binek, Christian, Huang, Yen-Lin, Sun, Yuan-Chen, Chu, Ying-Hao, Prasad, Bhagwati, Hoffmann, Michael, Hu, Jia-Mian, Yao, Zhi, Bellaiche, Laurent, Wu, Peng
Publikováno v:
APL Materials; Sep2024, Vol. 12 Issue 9, p1-73, 73p