Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"V. Iurchuk"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bernard Dieny, V. Iurchuk, A. N. Litvinenko, Vasyl Tyberkevych, Andrei Slavin, Jia Li, A. S. Jenkins, Steven Louis, Pankaj Sethi, Ursula Ebels, Ricardo Ferreira
Publikováno v:
Nano Letters
We demonstrate that a spin-torque nano-oscillator (STNO) rapidly sweep-tuned by a bias voltage can be used to perform an ultrafast time-resolved spectral analysis of frequency-manipulated microwave signals. The critical reduction in the time of the s
Autor:
Guillaume Prenat, Rui Ma, Laurent Vila, Ahmed Sidi El Valli, V. Iurchuk, J. Wrona, Jürgen Langer, Gregory Di Pendina, Ricardo C. Sousa, Ioan Lucian Prejbeanu, Florian Protze, A. Chavent, Martin Kreisig, Ursula Ebels, Frank Ellinger
Publikováno v:
Electronics Letters, Vol 57, Iss 6, Pp 264-266 (2021)
Electronics Letters
Electronics Letters, IET, 2021, 57 (6), pp.264-266. ⟨10.1049/ell2.12103⟩
Electronics Letters, 2021, 57 (6), pp.264-266. ⟨10.1049/ell2.12103⟩
Electronics Letters
Electronics Letters, IET, 2021, 57 (6), pp.264-266. ⟨10.1049/ell2.12103⟩
Electronics Letters, 2021, 57 (6), pp.264-266. ⟨10.1049/ell2.12103⟩
International audience; This letter presents magnetic tunnel junction based spintronic devices completely implemented in a hybrid semiconductor process that comprises a complementary metal oxide semiconductor and a magnetic tunnel junction technology
Autor:
A. Sidi El Valli, V. Iurchuk, G. Lezier, I. Bendjeddou, R. Lebrun, N. Lamard, A. Litvinenko, J. Langer, J. Wrona, L. Vila, R. Sousa, I. L. Prejbeanu, B. Dieny, U. Ebels
Spintronic rf detectors were demonstrated, recently, for energy harvesting and wireless communication at low input power. Here we report on the optimization of the rectified output dc voltage using magnetic tunnel junctions (MTJ) with strong perpendi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::82d7f220989881af8d85bbb3de5c7f93
http://arxiv.org/abs/2110.14501
http://arxiv.org/abs/2110.14501
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics 54(2021), 47
In this paper, using micromagnetic simulations, we investigate the stress-induced frequency tunability of double-vortex nano-oscillators comprising magnetostrictive and non-magnetostrictive ferromagnetic layers separated vertically by a non-magnetic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3eec270bc8d6b5f681a586dcab4097c7
https://www.hzdr.de/publications/Publ-33127-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-33127-1
Autor:
B. Dieny, Laurent Vila, Nathalie Lamard, G. Di Pendina, Guillaume Prenat, Ursula Ebels, Ioan Lucian Prejbeanu, Y. Bel, A. Chavent, J. Wrona, L Tillie, V. Iurchuk, Ricardo C. Sousa, Jürgen Langer
Publikováno v:
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Elsevier, 2020, 505, pp.166647. ⟨10.1016/j.jmmm.2020.166647⟩
Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2020, 505, pp.166647. ⟨10.1016/j.jmmm.2020.166647⟩
Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Elsevier, 2020, 505, pp.166647. ⟨10.1016/j.jmmm.2020.166647⟩
Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2020, 505, pp.166647. ⟨10.1016/j.jmmm.2020.166647⟩
International audience; The objective of this study is to co-integrate multiple digital and analog functions together within CMOS by developing a universal magnetic tunneling junction stack (MTJ) capable of realizing logic, memory, and analog functio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5344472b5d481404d07286056327e196
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03111526
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03111526
Autor:
Guillaume Prenat, A. Chavent, V. Iurchuk, Jürgen Langer, B. Dleny, J. Wrona, Ursula Ebels, G. Di Pendina, Ricardo C. Sousa, Ioan Lucian Prejbeanu, Laurent Vila
Publikováno v:
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2020, Honolulu, United States. ⟨10.1109/VLSITechnology18217.2020.9265053⟩
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2020, Honolulu, United States. ⟨10.1109/VLSITechnology18217.2020.9265053⟩
Magnetic random access memory (MRAM) is now available as embedded memory from major CMOS foundries. In this study, we demonstrated that slightly modified magnetic tunnel junctions than those used in conventional STT -MRAM can be used for multifunctio
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.