Zobrazeno 1 - 10
of 111
pro vyhledávání: '"V. Hoel"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Minko, V. Hoel, E. Morvan, B. Grimbert, A. Soltani, E. Delos, D. Ducatteau, C. Gaquiere, D. Theron, J.C. De Jaeger, H. Lahreche, L. Wedzikowski, R. Langer, P. Bove
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 25:453-455
AlGaN-GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on silicon substrate are fabricated. The device with a gate length of 0.3-/spl mu/m and a total gate periphery of 300 /spl mu/m, exhibits a maximum drain current density of 925 mA/mm at V/sub GS/=0
Autor:
A. Minko, V. Hoel, S. Lepilliet, G. Dambrine, J.C. DeJaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 25:167-169
AlGaN-GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) based on high-resistivity silicon substrate with a 0.17-/spl mu/m T-shape gate length are fabricated. The device exhibits a high drain current density of 550 mA/mm at V/sub GS/=1 V and V/sub DS/=10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.