Zobrazeno 1 - 10
of 112
pro vyhledávání: '"V. Hock"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Characterization of supercooling suppression of microencapsulated phase change material by using DSC
Autor:
M. Vilceus, V. Hock, Charles P. Marsh, Jorge L. Alvarado, Ty A. Newell, C. Sohn, Gary E. Phetteplace
Publikováno v:
Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 86:505-509
Supercooling suppression of microencapsulated n-tetradecane was measured using differential scanning calorimetry. Results indicate that the degree of supercooling is positively affected by the amount and type of nucleating agent present in bulk and m
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 21:501-506
HgTe/Hg0.3Cd0.7Te(0 0 1) quantum well structures fabricated with a Si–O–N insulator layer and an Au top gate electrode exhibit hysteresis effects in their gate-voltage dependent carrier density and thus a nonlinear variation of the Rashba spin–
Autor:
E. G. Novik, Hartmut Buhmann, Jian Liu, V. Hock, Yongsheng Gui, Charles R. Becker, Laurens W. Molenkamp
Publikováno v:
physica status solidi (b). 243:835-838
Low temperature magnetotransport measurements have been used to study the exchange interactions in Hg 1-x Mn x Te magnetic quantum wells (QWs). An analysis of Shubnikov-de Haas oscillations in conjunction with 8 x 8 k p bandstructure calculations all
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. :374-380
The properties of submicrometer gold air-bridges are investigated for their suitability as elements of an electronic device. The fabrication procedure of a gated vertical quantum dot resonant tunneling diode structure implementing air-bridges is pres
Autor:
Nimai Chand Pramanik, Prasanta Kumar Biswas, S. Korder, V. Hock, K. Ortner, P.K. Chakraborty, A De
Publikováno v:
Materials Letters. 57:2326-2332
Sol–gel indium tin oxide films (ITO) of various composition (In:Sn atomic ratio=90:10 to 30:70) prepared from salt-based precursors were deposited on bare and SiO2 coated (∼200 nm thickness) sheet glass substrates. The films were cured in air and
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 65:327-333
We report the fabrication of 6-nm Au-Pd structures using 30-keV e-beam lithography in a standard double-layer poly(methylmethacrylate) resist on silicon and subsequent lift-off. Line arrays with periods as small as 27 nm were realized. Details of the
Autor:
C. R. Becker, Yongsheng Gui, Hartmut Buhmann, V. Hock, Laurens W. Molenkamp, V. Daumer, J. Liu
Publikováno v:
Journal of Superconductivity. 16:365-368
Magnetotransport measurements are used to study the peculiar properties of a modulation doped n-type Hg0.98Mn0.02Te magnetic 2DEG. The Rashba effect and giant Zeeman spin splitting are observed simultaneously and can be separated by temperature and g