Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"V. Haven"'
Autor:
M. N. Mochalova, T. E. Belokrinitskaya, T. V. Haven, E. M. Shifman, K. G. Shapovalov, S. V. Kostromitin
Publikováno v:
Сеченовский вестник, Vol 0, Iss 2, Pp 28-32 (2017)
Trombotic microangiopathy is heterogeneous group of the diseases united by a community of a histological and clinical implications at difference of pathogenetic mechanisms, presents clinical-morphological syndrome characterizing a lesion of vessels o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4cda1e4748c64a7ea4fb75a7a1390728
Autor:
F. Namavar, A. Claverie, Zuzanna Liliental-Weber, P. A. Sekula-Moisé, V. Haven, N. M. Kalkhoran, S. Vernon, Eicke R. Weber
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 22:1409-1412
We have demonstrated the formation of arsenic precipitates in GaAs using arsenic implantation and annealing. Electrical measurements show that very high resistivity (surface or buried) GaAs layers can be produced by this method. The arsenic-implanted
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1beda13785234e32beda61444830516e
https://doi.org/10.1007/bf02649987
https://doi.org/10.1007/bf02649987
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 107:591-597
Nanometer scale GaAs quantum well wire (QWW) arrays with lateral dimensions in the range of 10–70 nm and a period of 200 nm have been fabricated in the GaAs/AlGaAs system using X-ray nanolithography patterning and overgrowth by a low pressure metal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8f9f1da69bb0bd9043a1ab5dd5645b7c
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)90526-b
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)90526-b
Publikováno v:
MRS Proceedings. 221
High quality GaAs films have been deposited on sawtooth-patterned (0.2 μm period) Si substrates by MOCVD. Three inch diameter Si wafers were patterned using a combination of holographic lithography and wet chemical etching. A two-step deposition pro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5fce5ebf3d8038495fa7f35d0a7f9a4e
https://doi.org/10.1557/proc-221-399
https://doi.org/10.1557/proc-221-399
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.