Zobrazeno 1 - 10
of 6 054
pro vyhledávání: '"V. Drain"'
Autor:
Crystal, David
Publikováno v:
The Oxford Dictionary of Original Shakespearean Pronunciation, 1 ed., 2016.
Externí odkaz:
http://www.oxfordreference.com/view/10.1093/acref/9780199668427.001.0001/acref-9780199668427-e-5294
Autor:
Green, Jonathon
Publikováno v:
Green's Dictionary of Slang, 1 ed., 2011.
Externí odkaz:
http://www.oxfordreference.com/view/10.1093/acref/9780199829941.001.0001/acref-9780199829941-e-14947
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 43:519-526
A high-efficient GaAs power metal semiconductor field effect transistor operating at a drain voltage of 2.3 V has been developed for low distortion power applications. The device has been fabricated on an epitaxial layer with a high-low doped structu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8528be375ddb649674a34b934f9ae6a3
https://doi.org/10.1109/16.485532
https://doi.org/10.1109/16.485532
Autor:
Toshihide Kikkawa, M. Yokoyama, S. Kato, Kazukiyo Joshin, N. Adachi, N. Hara, Y. Yamaguchi, S. Yokokawa, M. Kanamura, M. Nagahara
Publikováno v:
IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium, 2003.
We describe high power 70 W CW operation at 52 V drain bias voltage (Vds) using 24-mm gate-periphery AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrate. A 48 W output power with the drain efficiency of 60% was also obtained at Vds of 50 V under the efficiency-matched
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::65df955ec6bc9be743b19ec0d8574deb
https://doi.org/10.1109/rfic.2003.1213918
https://doi.org/10.1109/rfic.2003.1213918
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217).
This paper reports novel high power AlGaAs/GaAs heterostructure FET with a field-modulating plate (FP-HFET), which accomplished dramatic increase of the gate-drain breakdown voltage with greatly suppressed drain-current pulse-dispersion characteristi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2f244bf580d9f918e42f8a6ab7fcbce1
https://doi.org/10.1109/iedm.1998.746246
https://doi.org/10.1109/iedm.1998.746246
Publikováno v:
Proceedings of International Electron Devices Meeting.
Stacked-gate memory devices have been realized which for the first time demonstrate efficient hot carrier writing for drain-source bias, V/sub DS/, down to 2.5 V. Writing is achieved by channel initiated secondary electron injection, which permits wr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dfe8e94f024ee593213360ad85ae639a
https://doi.org/10.1109/iedm.1995.499382
https://doi.org/10.1109/iedm.1995.499382
Autor:
B.J. Edward, A.P. Zhang, E.B. Kaminsky, J.B. Tucker, J.W. Kretchmer, Larry B. Rowland, A.F. Allen, J. Cook
Publikováno v:
Electronics Letters. 39:245
1.5 mm gate periphery AlGaN/GaN HEMTs were fabricated and tested. 9.2 W/mm (total 13.8 W) power was obtained at 10 GHz under pulsed conditions without active cooling. The pulse width was 50 /spl mu/s with 5% duty cycle. This is the state-of-the-art p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::43b48b220a108eab82a3c629ed9387ea
https://doi.org/10.1049/el:20030107
https://doi.org/10.1049/el:20030107
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.