Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"V. Dimilia"'
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science and Technology. 19:1219-1223
A new wafer alignment mark is introduced which, when used in conjunction with a linear Fresnel zone plate on the mask, results in an alignment method with a wide range while retaining the high resolution implicit in the method. This new mark eliminat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7835ff766fa249ed1355569c2e71751a
https://doi.org/10.1116/1.571248
https://doi.org/10.1116/1.571248
Autor:
L. K. Wang, H. Voelker, O. Vladimirsky, David E. Seeger, B. Hill, E. Petrillo, J. P. Silverman, C. Wasik, Raul E. Acosta, Robert P. Rippstein, R. Viswanathan, Karen Petrillo, John Michael Warlaumont, K. Kwietniak, D. Katcoff, R. Devenuto, Inna V. Babich, V. DiMilia, L. C. Hsia, S. Brodsky, A. D. Wilson
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 7:1662
High performance fully scaled 0.5 μm complementary metal–oxide semiconductors very large scale integrated (CMOS VLSI) circuits have been fabricated using synchrotron x‐ray lithography technology. X‐ray lithography is employed at all levels to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8a1a7f5f186b4e07ceb49e3948566b69
https://doi.org/10.1116/1.584477
https://doi.org/10.1116/1.584477
Autor:
R. Devenuto, V. DiMilia, D. Crockatt, D. Katcoff, J. P. Silverman, John Michael Warlaumont, K. Kwietniak, L. K. Wang, L. C. Hsia, A. D. Wilson, B. Hill, David E. Seeger, Robert P. Rippstein
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 6:2147
Functional, fully scaled n‐type metal–oxide semiconductor (NMOS) circuits with 0.5‐μm ground rules have been fabricated using synchrotron radiation x‐ray lithography for all device levels. The exposures were done at the vacuum ultraviolet st
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::01fb60566e130179a2d3abe43b5d3074
https://doi.org/10.1116/1.584104
https://doi.org/10.1116/1.584104
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.