Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"V. Chabasseur‐Molyneux"'
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 11:1235-1238
We present a novel technique which employs crosslinked PMMA as a high-resolution negative resist for electron beam lithography. The technique allows the patterning of submicrometre features in an insulating layer, thus simplifying the fabrication pro
Autor:
V. Chabasseur‐Molyneux, David A. Ritchie, J. K. Wigmore, A. C. Churchill, Andrew S. Dzurak, Michael Pepper, A. G. Kozorezov
Publikováno v:
Physical Review B. 51:13793-13796
We have investigated the low-temperature resistivity of a two-dimensional electron gas (2DEG) formed at a GaAs/${\mathrm{Al}}_{\mathit{x}}$${\mathrm{Ga}}_{1\mathrm{\ensuremath{-}}\mathit{x}}$As heterojunction (a) as a function of electron temperature
Autor:
David A. Ritchie, J. E. F. Frost, Michelle Y. Simmons, V. Chabasseur‐Molyneux, Michael Pepper
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 68:3434-3436
We investigate transport through a two‐dimensional electron gas (2DEG) underneath a submicron periodic array of small Ge‐Ag alloyed ohmic contacts and compare the results with the resistance of the small contacts. We find that as the contacts for
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.