Zobrazeno 1 - 10
of 129
pro vyhledávání: '"V. Brückner"'
Publikováno v:
Crystal Research and Technology. 30:971-983
The progress in microelectronics is characterized by an increasing density of functional elements on the wafer. This is first of all a result of a reduction of lateral dimensions in patterned geometries. Nevertheless, further progress on this way is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::28dfbc3e6678a004af9c356e910db6c9
https://doi.org/10.1002/crat.2170300717
https://doi.org/10.1002/crat.2170300717
Publikováno v:
Journal of Modern Optics. 40:187-193
We studied the Q-switch of a pulsed Nd : YAG laser using the phase conjugation properties at backward scattering in a stimulated Brillouin scattering (SBS) cell inside the laser cavity. With acetone as the SBS liquid we studied loss modulations by a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::66892476cc53a12a5dc5a38d8a4a5d25
https://doi.org/10.1080/09500349314550201
https://doi.org/10.1080/09500349314550201
Publikováno v:
physica status solidi (b). 158:K37-K42
Mesure de la photoconductivite dans les couches minces amorphes Ge 50 Se 50 ,GeSe 2 ,Ge 30 Se 70 et Ge 30 Se 60 Te 10 soumises ou non a un recuit. Ces materiaux permettent de produire de tres petites commutations optoelectroniques dont l'efficacite e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5911b3d7d800a5f91915b3a6f37148a3
https://doi.org/10.1002/pssb.2221580148
https://doi.org/10.1002/pssb.2221580148
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Kramer, V. Brückner
Publikováno v:
1994 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe.
We studied Q-switch1,2 of a pulsed Nd: YAG laser using the phase-conjugating properties of stimulated Brillouin scattering (SBS) inside the laser cavity. The laser cavity (see Fig. 1) consists of a flashlamp-pumped Nd:YAG rod as the active medium and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f75786f0ba35f8918f1c9bdd1d8250dc
https://doi.org/10.1364/cleo_europe.1994.cmc4
https://doi.org/10.1364/cleo_europe.1994.cmc4
Autor:
V. Brückner
Publikováno v:
Negative Differential Resistance and Instabilities in 2-D Semiconductors ISBN: 9781461362203
One of the most interesting parameters of semiconductors and devices is the carrier mobility in the valence and conduction band because the mobility can result in a limitation of the speed of the device. From the development of ultrafast measuring te
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bfc5f65d94fba0d7a9f689531f3aebe8
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-2822-7_25
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-2822-7_25
Publikováno v:
Springer Proceedings in Physics ISBN: 9783642758287
Springer Proceedings in Physics
Springer Proceedings in Physics
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::efb0fe9a88b52480907a592e3503a4be
https://doi.org/10.1007/978-3-642-75826-3_43
https://doi.org/10.1007/978-3-642-75826-3_43
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.