Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"V th modulation"'
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 9, Iss 10, Pp n/a-n/a (2022)
Abstract Sol–gel indium–gallium–zinc oxide (IGZO) semiconductors are developed as active components of thin‐film transistors (TFTs) because of their high electron mobility, cost‐effective large‐area fabrication, and applicability for flex
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b33a58e43b114e9392974d25f3a628e0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.