Zobrazeno 1 - 10
of 107
pro vyhledávání: '"V Veliadis"'
Autor:
V. Veliadis
Publikováno v:
ESSDERC 2022 - IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4d44cbf4525d2c9582522331b2c13ce8
https://doi.org/10.1109/essderc55479.2022.9947113
https://doi.org/10.1109/essderc55479.2022.9947113
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2017 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE).
• The U.S Department of Energy launched the PowerAmerica Institute under the initiative of “National Network of Manufacturing Institutes (NNMI)” to Accelerate Adoption Wide Band Gap (WBG) power devices • PowerAmerica started operations in 201
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::83837b0c7729ce07f98b45da726efbaa
https://doi.org/10.1109/ecce.2017.8096984
https://doi.org/10.1109/ecce.2017.8096984
Autor:
V Veliadis
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 57:3540-3543
The discussion section of paper “1.88-mΩ·cm2 1650-V Normally on 4H-SiC TI-VJFET” which appeared in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 55, no. 8, August 2008, offers a comparative analysis between TI-VJFETs fabricated at USCI/Rutgers an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ea2c6388d66a3fde02034c9c7fbecf0e
https://doi.org/10.1109/ted.2010.2079172
https://doi.org/10.1109/ted.2010.2079172
Publikováno v:
2007 65th Annual Device Research Conference.
In this abstract, Northrop Grumman presents a novel monolithically integrated 1 kV normally-off VJFET power switch that combines a normally-off VJFET section with a normally-on VJFET section in a single vertical structure. The upper gates control the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::655fe65d09d31cc2ff9ab30184d488fe
https://doi.org/10.1109/drc.2007.4373636
https://doi.org/10.1109/drc.2007.4373636
Autor:
T. McNutt, V. Veliadis, E. Stewart, H. Hearne, J. Reichl, P. Oda, S. van Campen, J. Ostop, R.C. Clarke
Publikováno v:
2005 IEEE Vehicle Power and Propulsion Conference.
A new normally-off 4H-silicon carbide (SiC) cascode circuit has been developed capable of offering current densities approaching 500 A/cm/sup 2/. The cascode circuit boasts a specific on-resistance of 3.6 m/spl Omega/cm/sup 2/ and over 1000 V blockin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::41d2d75274de8b8c9cb8480eb247ee5e
https://doi.org/10.1109/vppc.2005.1554617
https://doi.org/10.1109/vppc.2005.1554617
Autor:
David Alan Ackerman, Eric J. Dean, L.J.P. Ketelsen, Charles W. Lentz, J.E. Johnson, John Michael Geary, Mark S. Hybertsen, Joseph Michael Freund, C.L. Reynolds, F.S. Walters, Richard B. Bylsma, T. Pinnington, O. Qasiameh, R. Gupta, S. Roycroft, F. Ghanikanov, Waleed A. Asous, V. Veliadis, K.G. Glogovsky, Lars E. Eng
Publikováno v:
LEOS 2001. 14th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society (Cat. No.01CH37242).
A wavelength selectable source within a transmitter for high-speed, dense wavelength division multiplexed systems must tune across a substantial number of channels while meeting rigorous system specifications in each channel. It must offer the same l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ccea3c60546c566b86388ab4edac7554
https://doi.org/10.1109/leos.2001.969227
https://doi.org/10.1109/leos.2001.969227
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.