Zobrazeno 1 - 10
of 80
pro vyhledávání: '"V Nagl"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Animal Husbandry, Dairy and Veterinary Science. 1
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8358d57ff4ff5238318094bf46746919
https://doi.org/10.15761/ahdvs.1000117
https://doi.org/10.15761/ahdvs.1000117
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 35:913-919
A new treatment of the theory describing carrier transport across the rectifying metal-semiconductor interface is presented. Besides the thermionic emission or drift-diffusion mechanisms of current flow, the generation-recombination processes in the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e082ccc8e8f7d3e76d064cb894019ca8
https://doi.org/10.1016/0038-1101(92)90318-7
https://doi.org/10.1016/0038-1101(92)90318-7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 42:1187-1189
Forward and reverse l-V characteristics measured on CrSi/sub 2/-Si and MoSi/sub 2/Si Schottky structures were compared with simulated ones. While the CrSi/sub 2/-Si shows the typical non-ideal I-V characteristics of a reverse biased Schottky contact,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b3cf7e3710bbd912856b9fc2a513bf47
https://doi.org/10.1109/16.387256
https://doi.org/10.1109/16.387256
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.