Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"V Kaganer"'
We introduce a facile route for the top-down fabrication of ordered arrays of GaN nanowires with aspect ratios exceeding 10 and diameters below 20 nm. Highly uniform thin GaN nanowires are first obtained by lithographic patterning a bilayer Ni/SiN x
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d196991e9f61931a0e0f105aa403c64b
http://arxiv.org/abs/2211.03204
http://arxiv.org/abs/2211.03204
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
physica status solidi (b). 229:193-196
ZnSe-based laser structures grown on GaAs(001) substrates were studied by high resolution X-ray diffraction. Extended diffuse scattering observed in reciprocal space maps was found to be caused by misfit dislocations located at the interface between
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9ddf95c9188e1e453248c585ae605e79
https://doi.org/10.1002/1521-3951(200201)229:1<193::aid-pssb193>3.0.co
https://doi.org/10.1002/1521-3951(200201)229:1<193::aid-pssb193>3.0.co
Autor:
J. Gruis, J. F. Woitok, V. Kaganer, Michael Heuken, Rolf H. Jansen, I. Booker, L. Rahimzadeh Khoshroo, Holger Kalisch, Hannes Behmenburg, C. Mauder
Publikováno v:
physica status solidi c. 7:1787-1789
The line shape of X-ray diffraction (XRD) rocking curves of GaN layers grown epitaxially on (0001) oriented sapphire substrates is analyzed. Measurements performed with double- and triple-crystal setup show a q-3 and q-4 intensity decay, respectively
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e3fda4b3b4fb1f54328963c9a2cf9925
https://doi.org/10.1002/pssc.200983615
https://doi.org/10.1002/pssc.200983615
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.