Zobrazeno 1 - 10
of 153
pro vyhledávání: '"V Haerle"'
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 22:418-421
Two-inch free-standing GaN wafers were implanted by 100 keV H+2 ions with a dose of 1.3 × 1017 cm−2 at room temperature. The hydrogen implantation induced damage in GaN extends between 230 to 500 nm from the surface as measured by cross-sectional
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5ae9a3cd467860849d0807baf59c4a48
https://doi.org/10.1088/0268-1242/22/4/022
https://doi.org/10.1088/0268-1242/22/4/022
Autor:
J. M. Calleja, F. Rodriguez, José Luis Rubio, Carlos Tejedor, V. Haerle, F. Scholz, H.P. van der Meulen
Publikováno v:
ResearcherID
The Fermi-edge singularity and shake-up sidebands have been measured in the optical emission spectrum of a modulation doped single quantum well of InGaAs/InP with spatially variable Fermi energy and valence-band mass. Both magnitudes change across th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0dfacf6856264df6abe3c00bd2fbb2c8
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00240-3
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(98)00240-3
Publikováno v:
Physical Review B. 56:R12718-R12721
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2de7e5cb1046633434759b30c4f3f99f
https://doi.org/10.1103/physrevb.56.r12718
https://doi.org/10.1103/physrevb.56.r12718
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 72:557-559
The density and temperature dependence of the exciton dephasing time of two hexagonal GaN films on sapphire is measured using degenerate four-wave mixing (DFWM). The residual 4 ps dephasing time at low temperature and density is caused by exciton-imp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f6b8a170efb2086b796c3bda85156adb
https://doi.org/10.1063/1.120757
https://doi.org/10.1063/1.120757
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.