Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"V/III flux ratio"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 2, Iss 1, Pp 333-338 (2011)
GaAsSb quantum dots (QDs) were grown on GaAs in the Stranski–Krastanov (SK) epitaxial mode. Their characteristics were dependent on the Sb/Ga (V/III) flux ratio and the growth temperature. The samples were grown with a V/III ratio between 0.45/1 an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9483420d591d4ae299c895c7ee96e040
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 2, Iss 1, Pp 333-338 (2011)
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 2, Iss 1, Pp 333-338 (2011)
GaAsSb quantum dots (QDs) were grown on GaAs in the Stranski–Krastanov (SK) epitaxial mode. Their characteristics were dependent on the Sb/Ga (V/III) flux ratio and the growth temperature. The samples were grown with a V/III ratio between 0.45/1 an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5cb9931ccf47ee51ed8e525ccae68bce
http://europepmc.org/articles/PMC3148065
http://europepmc.org/articles/PMC3148065
Publikováno v:
Известия Южного федерального университета. Технические науки.
Изложена кинетическая модель гомоэпитаксиального роста GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на стадии зарождения и независи
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2806::6564e030b442ee0a9d8d135782748037
http://cyberleninka.ru/article/n/model-nachalnoy-stadii-gomoepitaksialnogo-rosta-gaas-metodom-mle-s-uchyotom-sootnosheniya-potokov-rostovyh-komponent
http://cyberleninka.ru/article/n/model-nachalnoy-stadii-gomoepitaksialnogo-rosta-gaas-metodom-mle-s-uchyotom-sootnosheniya-potokov-rostovyh-komponent
Autor:
Plante, Martin
The mechanisms operating during the metal-assisted growth of III-V nanowires (NWs) by molecular beam epitaxy on (1 1 l)B substrates were investigated through a series of experiments aimed at determining the influence of growth conditions on the morph
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/11375/17418
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.