Zobrazeno 1 - 10
of 277
pro vyhledávání: '"V, Narayanamurti"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
V. Narayanamurti
Publikováno v:
ASME 4th International Conference on Nanochannels, Microchannels, and Minichannels, Parts A and B.
Over the last 50 years, solid state physics and technology have blossomed through the application of modern quantum mechanics to the real world. The intimate relationship between basic research and application has been highlighted ever since the inve
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fc9fba26ba932b2bf9add7d89adffc76
https://doi.org/10.1115/icnmm2006-96012
https://doi.org/10.1115/icnmm2006-96012
Publikováno v:
Physical review letters. 92(14)
We examine the phase and the period of the radiation-induced oscillatory magnetoresistance in GaAs/AlGaAs devices utilizing in situ magnetic field calibration by electron spin resonance of diphenyl-picryl-hydrazal. The results confirm a f-independent
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::3b3576d9953eef4560b47fd10ad0f8dc
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/15089564
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/15089564
Autor:
V. Narayanamurti, M. Kozhevnikov
Publikováno v:
Spontaneous Ordering in Semiconductor Alloys ISBN: 9781461351672
Ordering induced changes in the band structure of GaInP are important with regard to its device applications, as well as for fundamental studies of atomic ordering. To characterize the structural and electronic properties of Ga0.52In0.48P (written as
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5230d8288ff2f81eddacd297b808e295
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-0631-7_9
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-0631-7_9
Autor:
V. Narayanamurti
Publikováno v:
American Journal of Physics. 80:1035-1035
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f9f50f37451feb089e61b015b47f0c8e
https://doi.org/10.1119/1.4740481
https://doi.org/10.1119/1.4740481
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 105:063714
Large-area Au∕Pt∕n-In0.2Ga0.8N Schottky contacts have been fabricated for photovoltaic devices. The current transport mechanisms of the Schottky contacts to n-In0.2Ga0.8N with different background carrier concentrations are investigated. The ther
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fbc242e4d87e6b32f1733c40a4a415c0
https://doi.org/10.1063/1.3099601
https://doi.org/10.1063/1.3099601
Autor:
P. Han, Z. L. Xie, Y. D. Zheng, Bin Liu, V. Narayanamurti, F. Xu, R. Zhang, D. J. Chen, G. Q. Chen
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 103:043716
The effects of a long-duration high-temperature annealing in an air ambient on the strain of the AlGaN barrier layer and high-temperature transport properties of the two-dimensional electron gas (2DEG) in AlGaN∕GaN heterostructures were investigate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::baa00c35c34c64cce3d83435f627db0a
https://doi.org/10.1063/1.2888563
https://doi.org/10.1063/1.2888563
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.