Scattering Analysis of AlGaN/AlN/GaN Heterostructures with Fe-Doped GaN Buffer.

Autor: Arteev DS; Institute of Electronics and Telecommunications, Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, 29 Politekhnicheskaya, 195251 Saint-Petersburg, Russia., Sakharov AV; Ioffe Insitute, 26 Politekhnicheskaya, 194021 Saint-Petersburg, Russia., Lundin WV; Ioffe Insitute, 26 Politekhnicheskaya, 194021 Saint-Petersburg, Russia., Zavarin EE; Ioffe Insitute, 26 Politekhnicheskaya, 194021 Saint-Petersburg, Russia., Nikolaev AE; Ioffe Insitute, 26 Politekhnicheskaya, 194021 Saint-Petersburg, Russia., Tsatsulnikov AF; Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, RAS, 26 Politekhnicheskaya, 194021 Saint-Petersburg, Russia., Ustinov VM; Institute of Electronics and Telecommunications, Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, 29 Politekhnicheskaya, 195251 Saint-Petersburg, Russia.

Publikováno v: Materials (Basel, Switzerland) [Materials (Basel)] 2022 Dec 14; Vol. 15 (24). Date of Electronic Publication: 2022 Dec 14.

Quantum dot lasers

Autor: Bimberg, D., Ledentsov, Nn, Sellin, R., Ribbat, C., Mao, M., Marius Grundmann, Ustinov, Vm, Zhukov, Ae, Kovsh, Ar, Alferov, Zi, Lott, Ja

Publikováno v: Scopus-Elsevier
Web of Science

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cfac247241ca5a1c9b7a1c932535a8c1
https://doi.org/10.1109/leos.2000.890798

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.