Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Unnikrishnan, Sreenath"'
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/15/1993, Vol. 74 Issue 6, p4221, 8p
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Rapid thermal chemical vapor deposition (RT-CVD) technology is strategically important for deep submicron ULSI manufacturing because of trends towards reduced thermal budget and tightened process control requirements on large diameter Si wafers, and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::040937b0027bf5165d715ee4583c4db8
https://doi.org/10.1117/12.167329
https://doi.org/10.1117/12.167329
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov1998, Issue 1, p49-55, 7p
Autor:
Unnikrishnan, Sreenath, Kim, Byeong Y., Wang, Chun-Lin, Wu, Yun-Kang, Kwong, Dim-Lee, Tasch, Al F.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov1995, Issue 1, p246-255, 10p
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2/1/1994, Vol. 75 Issue 3, p1855, 1p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.