Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"Unger, R. S."'
Autor:
Mogilatenko, A., Knauer, A., Zeimer, U., Netzel, C., Jeschke, J., Unger, R.-S., Hartmann, C., Wollweber, J., Dittmar, A., Juda, U., Weyers, M., Bickermann, M.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 January 2019 505:69-73
Autor:
Schneider, M., Unger, R. -S., Mitdank, R., Mueller, R., Krapf, A., Rogaschewski, S., Dwelk, H., Janowitz, C., Manzke, R.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 72, 014504 (2005) and Virtual J. of Appl. of Supercond. 9(2) 15 Jul. (2005)
Bi2Sr2-xLaxCuO6+d and Bi2-yPbySr2-xLaxCuO6+d high-Tc superconductors in a wide doping range from overdoped to heavily underdoped were studied by X-ray absorption and photo-emission spectroscopy. The hole concentration p was determined by an analysis
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0504590
Autor:
Hagedorn, S., Walde, S., Susilo, N., Netzel, C., Tillner, N., Unger, R. S., Manley, P., Ziffer, E., Wernicke, T., Becker, C., Lugauer, H. J., Kneissel, M., Weyers, M.
In this study, AlN growth by metalorganic vapor phase epitaxy on hole type nano patterned sapphire substrates is investigated. Cracking occurs for an unexpectedly thin layer thickness which is associated to altered nucleation conditions caused by the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3680::7f6dd6e56d603078e6a8daeb579aed6e
http://www.helmholtz-berlin.de/pubbin/oai_publication?VT=1&ID=100653
http://www.helmholtz-berlin.de/pubbin/oai_publication?VT=1&ID=100653
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kang, J. H., Wenzel, H., Hoffmann, V., Freier, E., Sulmoni, L., Unger, R.-S., Einfeldt, S., Wernicke, T., Kneissl, M.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 11/25/2017, Vol. 10553, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Belyanin, Alexey A., Smowton, Peter M., Kang, J. H., Wenzel, H., Hoffmann, V., Freier, E., Sulmoni, L., Unger, R.-S., Einfeldt, S., Wernicke, T., Kneissl, M.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; February 2018, Vol. 10553 Issue: 1 p105530A-105530A-8, 949779p
Autor:
Weiss, V., Fuhrmann, E., Junge, A., Lutz, R., Rochel, M., Seider-Schmidt, M., Unger, R.-S., Wallace, C., Kuei, J.
Publikováno v:
2007 International Symposium on Semiconductor Manufacturing; 2007, p1-4, 4p