Zobrazeno 1 - 10 of 160 pro vyhledávání: '"Undeland, T."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Periodical
Merits of SiCMOSFETs for high-frequency soft-switched converters, measurement verifications by both electrical and calorimetric methods
Autor: Tiwari, S., Langelid, J. K., Undeland, T. M., Midtgård, O.-M.
Publikováno v: EPE Journal: European Power Electronics and Drives; October 2019, Vol. 29 Issue: 4 p172-182, 11p
Zobrazit plný text záznamu
3
Conference
Comparative evaluation of a commercially available 1.2 kV SiC MOSFET module and a 1.2 kV Si IGBT module.
Autor: Tiwari, S., Midtgard, O.-M., Undeland, T. M.
Publikováno v: IECON 2016 - 42nd Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society; 2016, p1093-1098, 6p
Zobrazit plný text záznamu
4
Conference
Experimental performance evaluation of two commercially available, 1.2 kV half-bridge SiC MOSFET modules.
Autor: Tiwari, S., Midtgard, O.-M., Undeland, T. M.
Publikováno v: IECON 2016 - 42nd Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society; 2016, p1106-1111, 6p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
SiC MOSFETs for future motor drive applications.
Autor: Tiwari, S., Midtgard, O.-M., Undeland, T. M.
Publikováno v: 2016 18th European Conference on Power Electronics & Applications (EPE'16 ECCE Europe); 2016, p1-10, 10p
Zobrazit plný text záznamu
6
Conference
A copper-loss based design method and verification for a zero-ripple interface for PV/Battery-to-grid applications.
Autor: Biswas, S., Mohan, N., Midtgard, O., Undeland, T.
Publikováno v: 2016 18th European Conference on Power Electronics & Applications (EPE'16 ECCE Europe); 2016, p1-9, 9p
Zobrazit plný text záznamu
8
Conference
Experimental performance comparison of six-pack SiC MOSFET and Si IGBT modules paralleled in a half-bridge configuration for high temperature applications.
Autor: Lund, R., Tiwari, S., Midtgard, O.-M., Undeland, T. M.
Publikováno v: 2015 IEEE 3rd Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA); 2015, p135-140, 6p
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Design considerations and laboratory testing of power circuits for parallel operation of silicon carbide MOSFETs.
Autor: Tiwari, S., Rabiei, A., Shrestha, P., Midtgard, O.-M., Undeland, T. M., Lund, R., Gytri, A.
Publikováno v: 2015 IEEE MTT-S 2015 International Microwave Workshop Series on RF & Wireless Technologies for Biomedical & Healthcare Applications (IMWS-BIO); 2015, p1-10, 10p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje