Zobrazeno 1 - 10
of 243
pro vyhledávání: '"Ulloa, J. M."'
Autor:
Braza, V., Ben, T., Flores, S., Reyes, D. F., Gallego-Carro, A., Stanojevic, L., Gacevic, Z., Ruíz-Marín, N., Ulloa, J. M., González, D.
Publikováno v:
Applied Surface Science 604 (2022) 154596
Recently, GaAsSb/GaAsN type II short-period superlattices (SLs) have been proposed as suitable structures to be implemented in the optimal design of monolithic multi-junction solar cells. However, due to strong surface Sb segregation, experimental Sb
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2401.17965
Autor:
Tjeertes, D., Verstijnen, T. J. F., Gonzalo, A., Ulloa, J. M., Sharma, M. S., Felici, M., Polimeni, A., Biccari, F., Gurioli, M., Pettinari, G., Şahin, C., Flatté, M. E., Koenraad, P. M.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 102, 125304 (2020)
Hydrogenation of nitrogen (N) doped GaAs allows for reversible tuning of the bandgap and the creation of site controlled quantum dots through the manipulation of N-nH complexes, N-nH complexes, wherein a nitrogen atom is surrounded by n hydrogen (H)
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.11879
Autor:
Llorens, J. M., Lopes-Oliveira, V., López-Richard, V., de Oliveira, E. R. Cardozo, Wevior, L., Ulloa, J. M., Teodoro, M. D., Marques, G. E., García-Cristóbal, A., Quiang-Hai, G., Alén, B.
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 11, 044011 (2019)
We investigate how the voltage control of the exciton lateral dipole moment induces a transition from singly to doubly connected topology in type II InAs/GaAsSb quantum dots. The latter causes visible Aharonov-Bohm oscillations and a change of the ex
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1710.08828
Autor:
Bajo, M. Montes, Tamayo-Arriola, J., Hugues, M., Ulloa, J. M., Biavan, N. Le, Peretti, R., Julien, F. H., Faist, J., Chauveau, J. M., Hierro, A.
Intersubband (ISB) polarons result from the interaction of an ISB transition and the longitudinal optical (LO) phonons in a semiconductor quantum well (QW). Their observation requires a very dense two dimensional electron gas (2DEG) in the QW and a p
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1703.07743
Autor:
Gonzalo, A., Utrilla, A. D., Reyes, D. F., Braza, V., Llorens, J. M., Marron, D. Fuertes, Alen, B., Ben, T., Gonzalez, D., Guzman, A., Hierro, A., Ulloa, J. M.
We propose type-II GaAsSb/GaAsN superlattices (SLs) lattice-matched to GaAs as a novel material for the 1 eV sub-cells present in highly efficient GaAs/Ge-based multi-junction solar cells. We demonstrate that, among other benefits, the spatial separa
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1612.05033
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.