Zobrazeno 1 - 10
of 182
pro vyhledávání: '"Ulin, V. P."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Germanov, N. A., Goliandin, S. N., Mochalov, S. V., Pulnev, S. A., Kompan, M. E., Nevedomski, V. N., Ulin, V. P., Ulin, N. V.
The paper describes the investigation of the properties of silver besilicate salt colloids in water medium. Ag6Si2O7 was obtained in a soft conditions, in water medium, at temperatures and pressure close to room ones. The morphology and crystallinity
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1701.06523
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cadiz, F., Paget, D., Berkovits, V. L., Ulin, V. P., Arscott, S., Peytavit, E., Rowe, A. C. H.
Publikováno v:
J. Appl. Phys. 114, 103711 (2013)
A self-consistent expression for the surface recombination velocity $S$ and the surface Fermi level unpinning energy as a function of light excitation power ($P$) is presented for n- and p-type semiconductors doped above the 10$^{16}$ cm$^{-3}$ range
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1302.3015
Autor:
Berkovits, V. L., Ulin, V. P., Tereshchenko, O. E., Paget, D., Rowe, A. C. H., Chiaradia, P., Doyle, B. P., Nannarone, S.
Chemical bonds formed by hydrazine-sulfide treatment of GaAs(111) were studied by synchrotron photoemission spectroscopy. At the B surface, the top arsenic atoms are replaced by nitrogen atoms, while GaAs(111)A is covered by sulfur, also bonded to un
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0907.3629
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Astrova, E. V.1 (AUTHOR) east@mail.ioffe.ru, Ulin, V. P.1 (AUTHOR), Parfeneva, A. V.1 (AUTHOR), Nashchekin, A. V.1 (AUTHOR), Nevedomskiy, V. N.1 (AUTHOR), Baidakova, M. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Aug2020, Vol. 54 Issue 8, p900-911. 12p.
Autor:
Zegrya, G. G.1 (AUTHOR) zegrya@theory.ioffe.ru, Ulin, V. P.1 (AUTHOR), Zegrya, A. G.1 (AUTHOR), Ulin, N. V.1 (AUTHOR), Mikhailov, Yu. M.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics. Oct2019, Vol. 64 Issue 10, p1492-1500. 9p. 5 Graphs.
Autor:
null Savenkov G. G., null Fadeev D. V., null Ulin N. V., null Freiman V. M., null Zegrya A. G., null Ulin V. P., null Zegrya G. G.
Publikováno v:
Technical Physics. 68:263
With a decrease in the thickness of the walls separating the space of pores in porous semiconductors, the potential energy of interaction between an electron and a donor (or a hole and an acceptor) can become greater than the kinetic energy of a free