Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Ui, Norihiko"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Hayashi, Hisanori ; Ui, Norihiko ; Saito, Toshiaki ; Fukaya, Jun (2000) A L-BAND 50-WATT GaAs Power FET with 58% power added efficiency. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2000, 2-6 october 2000, Paris.
High efficiency 50W GaAs power device h s been developed using two high bre kdown voltage G As FET chips that have an AlGaAs/GaAs heterostructure.Circuit designing considerations include the termination of the second-harmonics for improved power adde
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::475a96ad2d0070ebab2e97709a38efc6
Publikováno v:
2012 IEEE Topical Conference on Power Amplifiers for Wireless & Radio Applications; 1/ 1/2012, p53-56, 4p
Autor:
Deguchi, Hiroaki, Watanabe, Naoki, Kawano, Akihiro, Yoshimura, Norihiro, Ui, Norihiko, Ebihara, Kaname
Publikováno v:
2012 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium Digest; 1/ 1/2012, p1-3, 3p