Zobrazeno 1 - 10
of 69
pro vyhledávání: '"Udhiarto, Arief"'
Autor:
Anwar, Miftahul, Saraswati, Teguh E., Anjarwati, Lia, Moraru, Daniel, Udhiarto, Arief, Adriyanto, Feri, Maghfiroh, Hari, Nuryadi, Ratno
Publikováno v:
In Micro and Nano Engineering April 2022 14
Publikováno v:
E3S Web of Conferences, Vol 67, p 01016 (2018)
A solar street lamp is a lamp technology that utilizes solar cell to obtain electrical energy during the daylight hour by solar radiation and then use the electrical energy to provide light at night. Semiintegrated lamp tries to overcome complicated
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9ed64fb4b01c40afb3a402c8f857b321
Publikováno v:
E3S Web of Conferences, Vol 67, p 01018 (2018)
This paper present simple and inexpensive solar charge controller (SCC) using 8-bit microcontroller ATtiny85. The SCC using a pulse width modulation (PWM) signal to transistor and MOSFET to control current that generated by the microcontroller. The b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ea11f35f51f04768859ea7df84c1fbd9
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences, Vol 101, p 04008 (2017)
Today, institutions of higher education play increasingly active roles in helping achieve a sustainable society. This study aims to demonstrate the lessons learned in the development of a green environment at the Faculty of Engineering, University of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/836b49989a2845458b475bac5f625a41
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sofyan, Nofrijon, Sianturi, Marshall Christian, Ridhova, Aga, Yuwono, Akhmad Herman, Udhiarto, Arief
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings; 2021, Vol. 2382 Issue 1, p1-7, 7p
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings; 2021, Vol. 2376 Issue 1, p1-5, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jablonski Ryszard, Moraru Daniel, Udhiarto Arief, Anwar Miftahul, Nowak Roland, Hamid Earfan, Tarido Juli, Mizuno Takeshi, Tabe Michiharu
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 6, Iss 1, p 479 (2011)
Abstract Silicon field-effect transistors have now reached gate lengths of only a few tens of nanometers, containing a countable number of dopants in the channel. Such technological trend brought us to a research stage on devices working with one or
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/699259f2ea7f4cc08f0849b38c0d1c91