Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Ubiyvovk, E. V."'
Autor:
Loginov, D. K., Grigoryev, P. S., Ubiyvovk, E. V., Efimov, Yu. P., Eliseev, S. A., Lovtcius, V. A., Petrov, Yu. P., Ignatiev, I. V.
It is experimentally shown that the pressure applied along the twofold symmetry axis of a heterostructure with a wide GaAs/AlGaAs quantum well leads to considerable modification of the polariton reflectance spectra. This effect is treated as the stre
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1505.02105
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Sharofidinov Sh. Sh., null Ubiyvovk E. V., null Stozharov V. M., null Redkov A. V., null Osipov A. V., null Kukushkin S. A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:66
The growth of InGaN layers on hybrid SiC/Si substrates with orientations (100), (110), and (111) by the HVPE method was studied at temperatures that wittingly exceed the temperature of InN decomposition onto nitrogen atoms and metallic In (1000oC). O
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::801ef9c0c509969bcdd99bf83d7a0178
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.02.53584.19056
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.02.53584.19056
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.