Zobrazeno 1 - 10
of 823
pro vyhledávání: '"URu2Si2"'
Publikováno v:
Frontiers in Electronic Materials, Vol 2 (2023)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bb4077df88014eb89f54d119150ce29c
Autor:
Ran, Sheng, Jeon, Inho, Pouse, Naveen, Breindel, Alexander J., Kanchanavatee, Noravee, Huang, Kevin, Gallagher, Andrew, Chen, Kuan-Wen, Graf, David, Baumbach, Ryan E., Singleton, John, Maple, M. Brian
Publikováno v:
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2017 Sep 01. 114(37), 9826-9831.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26487684
Autor:
Ran, Sheng, Wolowiec, Christian T., Jeon, Inho, Pouse, Naveen, Kanchanavatee, Noravee, White, Benjamin D., Huang, Kevin, Martien, Dinesh, DaPron, Tyler, Snow, David, Williamsen, Mark, Spagna, Stefano, Riseborough, Peter S., Maple, M. Brian
Publikováno v:
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2016 Nov . 113(47), 13348-13353.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26472559
Autor:
J D Denlinger, J-S Kang, L Dudy, J W Allen, Kyoo Kim, J-H Shim, K Haule, J L Sarrao, N P Butch, M B Maple
Publikováno v:
Electronic Structure, vol 4, iss 1
Previous high-resolution angle-resolved photoemission (ARPES) studies of URu$_2$Si$_2$ have characterized the temperature-dependent behavior of narrow-band states close to the Fermi level ($E_\mathrm{F}$) at low photon energies near the zone center,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::957350a21c370bb6acb97ccd98f37ab3
Autor:
Andrew Gallagher, William L. Nelson, Kuan Wen Chen, Tiglet Besara, Theo Siegrist, Ryan E. Baumbach
Publikováno v:
Crystals, Vol 6, Iss 10, p 128 (2016)
We describe a modified Bridgman growth technique to produce single crystals of the strongly correlated electron material URu2Si2 and its nonmagnetic analogue ThRu2Si2. Bulk thermodynamic and electrical transport measurements show that the properties
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2ac03ced897545cebbaa2df66d8c66e4
Autor:
Greta Chappell, Christian Wolowiec, Ryan Baumbach, M. Brian Maple, Kevin Huang, Naveen Pouse, Kalyan Sasmal, Alexander Breindel, Sheng Ran, Noravee Kanchanavatee, Peter S. Riseborough
Publikováno v:
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, vol 118, iss 20
Electrical resistivity measurements were performed on single crystals of URu$_2-x$Os$_x$Si$_2$ up to $x$ = 0.28 under hydrostatic pressure up to $P$ = 2 GPa. As the Os concentration, $x$ , is increased, (1) the lattice expands, creating an effective
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::05a04e69b70cea5c603b17084f650409
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.