Zobrazeno 1 - 10
of 255
pro vyhledávání: '"UREN, Michael J."'
Autor:
Bhat, Aditya K., Kim, Hyun-Seop, Mishra, Abhishek, Smith, Matthew D., Uren, Michael J., Kuball, Martin
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/21/2024, Vol. 135 Issue 19, p1-9, 9p
Autor:
Chandrasekar, Hareesh, Uren, Michael J., Casbon, Michael A., Hirshy, Hassan, Eblabla, Abdalla, Elgaid, Khaled, Pomeroy, James W., Tasker, Paul J., Kuball, Martin
Publikováno v:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 66, NO. 4, APRIL 2019
Intrinsic limits to temperature-dependent substrate loss for GaN-on-Si technology, due to the change in resistivity of the substrate with temperature, are evaluated using an experimentally validated device simulation framework. Effect of room tempera
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1901.09521
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 August 2020 521
Autor:
Singh, Manikant, Karboyan, Serge, Uren, Michael J., Lee, Kean Boon, Zaidi, Zaffar, Houston, Peter A., Kuball, Martin
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability April 2019 95:81-86
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability February 2018 81:306-311
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.