Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE"'
Publikováno v:
In Journal of Physics and Chemistry of Solids April 2000 61(4):537-544
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M K Lui, S. K. Ma, K F Li, Stevenson Hon Yuen Fung, Kok Wai Cheah, Chi Chung Ling, H.M. Weng, M. Gong, C. D. Beling, H S Hang
Publikováno v:
Journal of Physics: Condensed Matter. 16:6205-6212
Electron irradiated undoped liquid encapsulated Czochralski (LEC) grown GaSb samples were studied by positron lifetime spectroscopy (PLS) and photoluminescence (PL). In addition t ot he 315 ps component reported in the previous studies, another defec
Publikováno v:
Journal of Physics and Chemistry of Solids. 61:537-544
Metalorganic chemical vapour deposition grown GaSb films on GaAs have been optimised for combined morphology, electrical and optical properties by variations in substrate temperature and V/III ratio. The transport properties of the films grown at 540
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 85:384-386
Acceptors in liquid encapsulated Czochralski-grown undoped gallium antimonide (GaSb) were studied by temperature dependent Hall measurement and positron lifetime spectroscopy (PLS). Because of its high concentration and low ionization energy, a level
Publikováno v:
MRS Proceedings. 799
Positron lifetime spectroscopy has been used to study the vacancy type defects in undoped gallium antimonide. Temperature dependent positron trapping into the VGa-related defect having a characteristic lifetime of 310ps was observed in the as-grown s