Výsledky vyhledávání - "U. T. Davlatov"

Si-CdTe-CdS structures of electronic processes

Autor: F. Kh. Khasanov, I. B. Sapaev, B. S. Mirzaev, Q. A. Shakarov, U. T. Davlatov, N. N. Abdusattorov

Publikováno v: 2021 ASIA-PACIFIC CONFERENCE ON APPLIED MATHEMATICS AND STATISTICS.

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::664c80774b8a3239c84455a366e9aaea
https://doi.org/10.1063/5.0089974

Zobrazit plný text záznamu

Spectral and current-voltage characteristics of Si-Si1−x Gex heterostructures grown by liquid phase epitaxy

Autor: B. Sapaev, A. S. Saidov, U. T. Davlatov, A. Kutlimratov

Publikováno v: Technical Physics Letters. 27:319-322

The spectral and current-voltage (I–V) characteristics of Si-Si1−xGex heterostructures grown by liquid phase epitaxy on silicon substrates were studied. The dependence of the longwave photosensitivity boundary of these structures on the variband

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::69af23ae8cb4ce54f075927ada01b9eb
https://doi.org/10.1134/1.1370213

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Features of the Properties of the Surface of (GaAs)1 – x – у(Ge2)x(ZnSe)y Semiconductor Solid Solution with ZnSe Quantum Dots.

Autor: Zainabidinov, S. Z., Saidov, A. S., Boboev, A. Y., Usmonov, J. N.

Publikováno v: Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron & Neutron Techniques; Jan2021, Vol. 15 Issue 1, p94-99, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

(IV2)1 – x(III–V)x Solid Solutions Obtained from a Bounded Tin Melt–Solution.

Autor: Sapaev, B.¹, Saidov, M. S.¹, Saidov, A. S.¹ amin@physic.uzsci.net, Karazhanov, S. Zh.¹

Publikováno v: Semiconductors. Nov2004, Vol. 38 Issue 11, p1245-1253. 9p.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

The Synthesis and Properties of Epitaxial Layers of (Si[sub 2])[sub 1 – ][sub x](GaAs)[sub x] Solid Solutions on Silicon Substrates.

Autor: Sapaev, B.¹, Saidov, A.S.¹ atvi@physic.uzsci.net, Zaveryukhin, B.N.¹

Publikováno v: Technical Physics Letters. Jan2004, Vol. 30 Issue 1, p51-54. 4p.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Spectral and Current–Voltage Characteristics of Si–Si[sub 1 – ][sub x]Ge[sub x] Heterostructures Grown by Liquid Phase Epitaxy.

Autor: Saidov, A. S., Kutlimratov, A., Sapaev, B., Davlatov, U. T.

Publikováno v: Technical Physics Letters. Apr2001, Vol. 27 Issue 4, p319. 4p.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

The Synthesis and Photoelectric Properties of Si–(Si2)1 – x(ZnS)x Epitaxial Structures.

Autor: Sapaev, B.¹, Saidov, A. S.¹

Publikováno v: Technical Physics Letters. Sep2004, Vol. 30 Issue 9, p715-716. 2p.

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání