Zobrazeno 1 - 10
of 293
pro vyhledávání: '"U. Strauss"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Fluid conditions of shallow marine hydrothermal vent sites (200 mbsl) and mid-ocean ridge-related environments (>2000 mbsl). At Calypso Vents in the Bay of Plenty and Paleochori Bay at the coast of Milos Island, fluids with temperatures
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2127::6fda1c964304836c04be532c74474bf2
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3068461
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3068461
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Volker Härle, Ulrich T. Schwarz, Bernd Witzigmann, M. O. Schillgalies, C. Rumbolz, A. Lell, C. Lauterbach, Harald Braun, Valerio Laino, U. Strauß
Publikováno v:
physica status solidi c. 4:2772-2775
In semiconductor laser diodes, high refractive index epitaxial layers can act as parasitic waveguides and cause severe losses to the mode propagating in the laser waveguide. For (Al,In)GaN laser diodes the parasitic modes are typically caused by the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fe38706b32ecd2300305bef728945299
https://doi.org/10.1002/pssc.200674740
https://doi.org/10.1002/pssc.200674740
Autor:
V. Portz, U. Strauß, Ph. Ebert, Holger Eisele, Rafal E. Dunin-Borkowski, M. Schnedler, P. H. Weidlich
Publikováno v:
Journal of applied physics 118(3), 035302-(2015). doi:10.1063/1.4926789
A methodology for the determination of the subsurface line direction of dislocations using scanning tunneling microscopy (STM) images is presented. The depth of the dislocation core is derived from an analysis of the displacement field measured by ST
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2258593ffa70b0cc9221888f0a2b1bd7
https://hdl.handle.net/2128/17045
https://hdl.handle.net/2128/17045
Publikováno v:
Zeitschrift f�r Epileptologie. 16:214-222
In der letzten Dekade wurden zahlreiche neue Antiepileptika eingefuhrt. Der Anteil pharmakoresistenter Patienten hat sich jedoch nur wenig geandert. Auch das Wissen um die Mechanismen, welche zur Epileptogenese und zur Entwicklung der Pharmakoresiste
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0dedc8357606834869fc9512e46f0ca7
https://doi.org/10.1007/s10309-003-0027-3
https://doi.org/10.1007/s10309-003-0027-3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
U Strauß, B Jobst, Meinrad Schienle, T. Streibl, W. W. Rühle, Helmut Tews, D. Volm, Henning Riechert, Bruno K. Meyer, R. Averbeck
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 12:637-644
We investigate epitaxial layers of GaN on c-plane sapphire by photoluminescence, optical density and x-ray diffraction. Besides the well known luminescence from hexagonal GaN we have identified two emission bands from cubic GaN. We observe the emissi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7ed372fa49675d5651285308dfcbdf24
https://doi.org/10.1088/0268-1242/12/5/019
https://doi.org/10.1088/0268-1242/12/5/019
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 80:322-325
We investigate modulation‐doped InxGa1−xAs/AlyGa1−yAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy with respect to carrier mobility and its dependence on In content, In distribution, populations of electron subbands, and local positions of ele
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a8841343d62224af985bc57282369d5b
https://doi.org/10.1063/1.362799
https://doi.org/10.1063/1.362799
Publikováno v:
Physical Review B. 53:4722-4728
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::423e21d5987ac4116d55f3a951a25720
https://doi.org/10.1103/physrevb.53.4722
https://doi.org/10.1103/physrevb.53.4722