Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"U. Nellore"'
Publikováno v:
MRS Proceedings. 391
This paper describes an application of process and device simulation programs in the study of substrate current generated by hot-carrier effect in submicron p-channel MOSFET devices. The impact ionization model for holes was calibrated for accurate s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a8b9a14483f38b5566346c5ce97cec6c
https://doi.org/10.1557/proc-391-21
https://doi.org/10.1557/proc-391-21
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.