Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"U. Medic"'
Publikováno v:
2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD).
The interaction between the reverse recovery charge and the output charge in trench power MOSFETs is discussed. As the trade-off between the on-resistance and the gate charge improves, the output capacitance has more impact on the reverse recovery lo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4ec8f2e8ab3c16a1e541418f8bad0268
https://doi.org/10.1109/ispsd46842.2020.9170155
https://doi.org/10.1109/ispsd46842.2020.9170155
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.