Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"U. Kehrli"'
Publikováno v:
IEEE Journal of Quantum Electronics. 32:770-777
The design, fabrication, and characterization of monolithically integrated single- and dual-stage cascadable optical differential amplifiers (ODAs) are presented. The circuits are realized with photodiodes (PDs), metal-semiconductor field-effect tran
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1f0c108c88e24ea4d47e05616ce8a7fd
https://doi.org/10.1109/3.492999
https://doi.org/10.1109/3.492999
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 21:300-303
An OEIC structure of AlGaAs/GaAs grown in one single step was designed to integrate LEDs, MESFETs and photodetectors. The bandgap of the LED is shifted so that the emitted light can efficiently be detected by the photodetector. The layer structure wa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7feb4954b44d5698720e752b7d2e5033
https://doi.org/10.1016/0921-5107(93)90372-t
https://doi.org/10.1016/0921-5107(93)90372-t
Autor:
M. Rossi, P. Seitz, B.D. Patterson, H.P. Schweizer, D. Liepold, U. Kehrli, J.E. Epler, K. Thelen
Publikováno v:
Proceedings of IEE/LEOS Summer Topical Meetings: Integrated Optoelectronics.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::62afab6db6d94d27b8201487d2275f81
https://doi.org/10.1109/leosst.1994.700466
https://doi.org/10.1109/leosst.1994.700466
Autor:
K.H. Gulden, D. Leipold, Bruce D. Patterson, U. Kehrli, J.E. Epler, K. Thelen, H.P. Schweizer, P. Seitz
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 7:757-759
A cascadable, optical differential amplifier with an active output is realized in AlGaAs-GaAs by the monolithic integration of three devices: A photodiode (PD), a light-emitting diode (LED) and a combination of a photodiode and a junction field-effec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1f4a8e6becaf3b41ded7955c0ce7b10c
https://doi.org/10.1109/68.393196
https://doi.org/10.1109/68.393196
Publikováno v:
Electronics Letters. 30:2069-2070
An AlGaAs/GaAs layer structure, grown in a single step, and a fabrication process has been developed for the monolithic integration of cascadable optoelectronic smart pixels. Metal semiconductor field-effect transistors (MESFETs), light-emitting diod
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::943de01dc45e66b8de3ffcceb94b94a4
https://doi.org/10.1049/el:19941380
https://doi.org/10.1049/el:19941380
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.