Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"U. Gruening"'
Autor:
U. Gruening, C.J. Radens, J.A. Mandelman, A. Michaelis, M. Seitz, N. Arnold, D. Lea, D. Casarotto, A. Knorr, S. Halle, T.H. Ivers, L. Economikos, S. Kudelka, S. Rahn, H. Tews, H. Lee, R. Divakaruni, J.J. Welser, T. Furukawa, T.S. Kanarsky, J. Alsmeier, G.B. Bronner
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318).
Results are presented for a novel trench capacitor DRAM cell using a vertical access transistor along the storage trench sidewall which effectively decouples the gate length from the lithographic groundrule. A unique feature of this cell is the verti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78b60a5c95ca93bbb52f7c456656a1bb
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.823838
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.823838
Autor:
S. Bukofsky, Scott Halle, R. Divakaruni, Stephan Kudelka, Larry Alan Nesbit, U. Gruening, Jay W. Strane, J. Mandelman, T. Schloesser, D. Casarotto, R. Malik, C. Dubuc, J. Faltermeier, J. Sim, T. Dyer, N. Arnold, Carl J. Radens, T. Joseph, Q. Ye, V.C. Jaiprakash, Gary B. Bronner, K. Low, D. Lea, M. Seitz, Larry Clevenger
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 2000. Technical Digest. IEDM (Cat. No.00CH37138).
This paper describes a novel 6F/sup 2/ trench-capacitor DRAM with a trench-sidewall vertical-channel array transistor. The cell features a line/space pattern for the active area, single-sided buried-strap node contact, vertical transistor channel for
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c2b497cd5a067e788acfb0fed2e8c42d
https://doi.org/10.1109/iedm.2000.904327
https://doi.org/10.1109/iedm.2000.904327
Autor:
R. Divakaruni, Stephan Kudelka, A. Strong, D. Lea, M. Seitz, Scott J. Bukofsky, H. Tews, Juergen Preuninger, D. Tibbel, Jai-Hoon Sim, L. Nesbit, Larry Clevenger, Carl J. Radens, Gary B. Bronner, J. Mandelman, Scott Halle, Gerhard Kunkel, N. Arnold, D. Casarotto, R. Malik, U. Gruening
Publikováno v:
2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104).
A 0.135 /spl mu/m/sup 2/ trench-capacitor DRAM cell with a trench-sidewall vertical-channel array device has been fabricated using 150 nm groundrules and optical lithography. This 6F/sup 2/ cell features a novel active area layout, a trench-top-oxide
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::88d9d93afb5f2772046039d0f03c424e
https://doi.org/10.1109/vlsit.2000.852777
https://doi.org/10.1109/vlsit.2000.852777
Publikováno v:
Neutron Optical Devices and Applications.
The usually large cross section of the incident neutron beam is divided in the microguide into a large number of thin slices. This allows the neutron beam to be deviated by a large angle within a short distance and enables the design of an efficient
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2ae4aa26537052e7c8524e8121c9c805
https://doi.org/10.1117/12.130647
https://doi.org/10.1117/12.130647
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.