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Publikováno v:
Abstract- und Posterband – 90. Jahresversammlung der Deutschen Gesellschaft für HNO-Heilkunde, Kopf- und Hals-Chirurgie e.V., Bonn – Digitalisierung in der HNO-Heilkunde.
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Abstract- und Posterband – 90. Jahresversammlung der Deutschen Gesellschaft für HNO-Heilkunde, Kopf- und Hals-Chirurgie e.V., Bonn – Digitalisierung in der HNO-Heilkunde.
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Abstract- und Posterband – 90. Jahresversammlung der Deutschen Gesellschaft für HNO-Heilkunde, Kopf- und Hals-Chirurgie e.V., Bonn – Digitalisierung in der HNO-Heilkunde.
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Abstract- und Posterband – 90. Jahresversammlung der Deutschen Gesellschaft für HNO-Heilkunde, Kopf- und Hals-Chirurgie e.V., Bonn – Digitalisierung in der HNO-Heilkunde.
Autor:
Boersma, Bart1,2 (AUTHOR) bart.boersma@unige.ch, Poinot, Hélène3,4 (AUTHOR) helene.poinot@unige.ch, Pommier, Aurélien5 (AUTHOR) aurelien.pommier@uca.fr
Publikováno v:
Pharmaceutics. Aug2024, Vol. 16 Issue 8, p974. 31p.
Autor:
Lalhmangaihzuala, Samson1,2, Laldinpuii, Zathang1, Lalthanpuii, P. B.3, Pachuau, Zodinpuia2, Vanlaldinpuia, Khiangte1, Lalchhandama, Kholhring3 chhandama@pucollege.edu.in
Publikováno v:
Journal of Applied Pharmaceutical Science. Aug2024, Vol. 14 Issue 8, p94-102. 9p.
Autor:
Dotta, Tatiane Cristina1 tatianedotta@usp.br, D'Ercole, Simonetta2 simonetta.dercole@unich.it, Iezzi, Giovanna2 gio.iezzi@unich.it, Pedrazzi, Vinicius1 pedrazzi@forp.usp.br, Galo, Rodrigo1 rogalo@forp.usp.br, Petrini, Morena2 morena.petrini@unich.it
Publikováno v:
Biomimetics (2313-7673). Aug2024, Vol. 9 Issue 8, p461. 19p.
Autor:
U. Erben, F.J. Beisswanger, J.-F. Luy, S. Bruce, M. Willander, Anders Rydberg, H. Schumacher, Magnus Karlsteen, M. Kim
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 46:695-700
In this paper, the design of an active millimeter-wave frequency doubler using an Si/SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) as the active device is studied. Simulations are made using a developed physics-based large-signal model for Si/SiGe HBT
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 46:712-715
Silicon circuits, now penetrating well into the microwave frequency range, use lossy silicon substrates. Consequently, the microwave performance of transmission lines on this substrate becomes increasingly important and has been investigated here up
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 41:1485-1492
Si/SiGe heterojunction transistors with high germanium concentration in the base layer are capable of microwave noise figures below 1 dB at X-band frequencies, because of their low base resistance. We review critical device parameters which influence