Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"U. Bewersdorff-Sarlette"'
Autor:
Jan Paul, Thomas Mikolajick, Stephan Wege, M.F. Beug, N. Chan, V. Beyer, Malte Czernohorsky, R. Knöfler, A.T. Tilke, Paweł Piotr Michałowski, M. Ackermann, L. Bach, Christoph Ludwig, U. Bewersdorff-Sarlette
Publikováno v:
Microelectronic Engineering
TANOS-NAND flash process integration generates various technological difficulties; one of the most relevant is the patterning of TaN metal gates together with Al"2O"3 high-k dielectrics. BCl"3/N"2 based high-temperature plasma etching preferably used
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::33fabc079aabbc9d22e4ef7b357bae04
https://doi.org/10.1016/j.mee.2008.12.025
https://doi.org/10.1016/j.mee.2008.12.025
Autor:
M.F. Beug, A.T. Tilke, R. Hoffmann, Malte Czernohorsky, L. Bach, D. A. Lohr, T. Melde, Roman Knoefler, U. Bewersdorff-Sarlette, Konrad Seidel, V. Beyer, Jan Paul
Publikováno v:
2009 IEEE International Memory Workshop.
This paper presents charge trapping (CT) cells integrated with a sacrificial liner at the word line (WL) side wall which improves significantly the erase and retention characteristics, currently the main issues in CT memory devices.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c9cd257f86be1358a3aa6bd037de8196
https://doi.org/10.1109/imw.2009.5090595
https://doi.org/10.1109/imw.2009.5090595
Autor:
Malte Czernohorsky, Roman Knoefler, L. Bach, Thomas Mikolajick, U. Bewersdorff-Sarlette, A.T. Tilke, T. Melde, M.F. Beug, V. Beyer, Jan Paul
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters
This letter investigates a new select device disturb phenomenon in TANOS NAND flash memories. Since NAND string select devices contain the same charge trap (CT) stack as the memory cells, they are, in principle, programmable. We observe a select thre
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::35a6677eddcac63fc2e7e06155cdb601
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 9/1/2014, Vol. 105 Issue 9, p1-5, 5p, 3 Color Photographs, 2 Graphs
Autor:
Beug, M. Florian, Melde, Thomas, Czernohorsky, Malte, Hoffmann, Raik, Paul, Jan, Knoefler, Roman, Tilke, Armin T.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Jul2010, Vol. 57 Issue 7, p1590-1596, 7p