Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"U. Babakhodzhaev"'
Publikováno v:
Semiconductors. 35:947-948
The effects of heat treatments in vacuum, implantation of Si+ ions, and exposure to light on photoelectric parameters of a-Si:H films were studied. It is shown that the initial characteristics of the films play the determining role in the crystalliza
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.