Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Tyurikov, K. S."'
Autor:
Osipov, A. A., Iankevich, Gleb A., Speshilova, A. B., Endiiarova, E. V., Berezenko, V. I., Tyurikova, I. A., Tyurikov, K. S., Alexandrov, S. E.
Publikováno v:
Scientific reports, 10 (1), Art.-Nr.: 19977
In this work, we demonstrate an effective way of deep (30 µm depth), highly oriented (90° sidewall angle) structures formation with sub-nanometer surface roughness (R$_{ms}$ = 0.7 nm) in silicon carbide (SiC). These structures were obtained by dry
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::378539fbfa6bcb6c478eaa407ae76085
https://publikationen.bibliothek.kit.edu/1000126933
https://publikationen.bibliothek.kit.edu/1000126933
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Breki, A. D., Aleksandrov, S. E., Tyurikov, K. S., Kolmakov, A. G., Gvozdev, A. E., Kalinin, A. A.
Publikováno v:
Inorganic Materials: Applied Research; Jul2018, Vol. 9 Issue 4, p714-718, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.