Zobrazeno 1 - 10
of 60
pro vyhledávání: '"Type-II quantum dots"'
Autor:
Lorenz Pulgar-Velásquez, José Sierra-Ortega, Juan A. Vinasco, David Laroze, Adrian Radu, Esin Kasapoglu, Ricardo L. Restrepo, John A. Gil-Corrales, Alvaro L. Morales, Carlos A. Duque
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 11, Iss 11, p 2832 (2021)
Using the effective mass approximation in a parabolic two-band model, we studied the effects of the geometrical parameters, on the electron and hole states, in two truncated conical quantum dots: (i) GaAs-(Ga,Al)As in the presence of a shallow donor
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/62c2dac152f442cd8aeba32bd1adcab9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R.L. Restrepo, David Laroze, John A. Gil-Corrales, A. Radu, C.A. Duque, Esin Kasapoglu, J.A. Vinasco, Lorenz Pulgar-Velásquez, J. Sierra-Ortega, Alvaro Morales
Publikováno v:
Nanomaterials
Volume 11
Issue 11
Nanomaterials, Vol 11, Iss 2832, p 2832 (2021)
Volume 11
Issue 11
Nanomaterials, Vol 11, Iss 2832, p 2832 (2021)
Using the effective mass approximation in a parabolic two-band model, we studied the effects of the geometrical parameters, on the electron and hole states, in two truncated conical quantum dots: (i) GaAs-(Ga,Al)As in the presence of a shallow donor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::057fc15b044dbdce796102be3f8342ad
https://doi.org/10.3390/nano11112832
https://doi.org/10.3390/nano11112832
In this study, CdSe/CdTe Type-II quantum dots (QDs) were synthesized using dropwise method. The core/shell nanocrystals have been characterized by UV-Vis absorption and photoluminescence (PL) spectroscopies, transmission electron microscopy and z-sca
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ae7d3039b598e8bb9fc8c0620823a313
https://hdl.handle.net/20.500.12684/10389
https://hdl.handle.net/20.500.12684/10389
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhao, Zhangji
Publikováno v:
Zhao, Zhangji. (2018). Optical Characterization of InAs/GaAs1-xSbx Quantum-Dot Structures. UCLA: Electrical Engineering 0303. Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/6pt6h1xz
InAs quantum-dot structure were grown on GaAs (001) substrate using GaAs1-xSbx matrix. The use of GaAs1-xSbx for the buffer and cap layers could suppress coalescence between dots effectively and increase the dot density significantly. Also, InAs/GaAs
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::88bd27fd4448f244daa133a69aeecffc
http://www.escholarship.org/uc/item/6pt6h1xz
http://www.escholarship.org/uc/item/6pt6h1xz