Zobrazeno 1 - 10
of 8 804
pro vyhledávání: '"Type-II band alignment"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Materials Today Communications January 2025 42
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ACS Omega, Vol 9, Iss 28, Pp 30717-30724 (2024)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/87d0a95d397449e18d5a13586cc03e2b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jed Kistner-Morris, Ao Shi, Erfu Liu, Trevor Arp, Farima Farahmand, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Vivek Aji, Chun Hung Lui, Nathaniel Gabor
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 15, Iss 1, Pp 1-7 (2024)
Abstract Semiconductor heterojunctions are ubiquitous components of modern electronics. Their properties depend crucially on the band alignment at the interface, which may exhibit straddling gap (type-I), staggered gap (type-II) or broken gap (type-I
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/37f1912da48b4e5f99888ebaaf82b726