Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Tymofieiev, Volodymyr Ivanovych"'
Autor:
Kulikov, Kostiantyn Viacheslavovych, Moskaliuk, Volodymyr Oleksandrovych, Tymofieiev, Volodymyr Ivanovych
Publikováno v:
Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 3 (2019); 20-32
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 3 (2019); 20-32
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 3 (2019); 20-32
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 3 (2019); 20-32
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 3 (2019); 20-32
The article proposed a method for modeling and analyzing the high-frequency properties of multi-valley semiconductors, in particular, GaN, AlN and InN. The model is applied to state-of-the-art, promising and relevant materials GaN, AlN and InN, which
Autor:
Baida, Iryna Petrivna, Kulikov, Kostiantyn Viacheslavovych, Moskaliuk, Volodymyr Oleksandrovych, Tymofieiev, Volodymyr Ivanovych
Publikováno v:
Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 2 (2019); 14-24
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 2 (2019); 14-24
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 2 (2019); 14-24
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 2 (2019); 14-24
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 2 (2019); 14-24
The analysis of relaxation processes in submicrometer heterostructure transistors with the system of quantum walls is investigated. The methods of nano heterostructure design are developed including quantum effects and specific for ternary alloys sca