Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"Tyler, D M"'
Publikováno v:
ECS Transactions. 80:29-37
Bis(N-tert-butyl-N'-ethylpropionamidinato) cobalt(II) (CoAMD) was evaluated as a precursor for selective deposition of cobalt on Cu versus traditional back end of line (BEOL) dielectric materials. Atomic layer deposition at 165 °C to 265 °C with Co
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry C. 115:9048-9052
The nucleation of Pt particles from CH3CpPt(CH3)3 on boron-treated highly oriented pyrolytic graphite (HOPG) was investigated. HOPG was enhanced with B from diborane using hot wire chemical vapor deposition to generate BDx fragments that dissociative
Publikováno v:
The journal of physical chemistry letters. 5(7)
Electromigration of copper in integrated circuits leads to device failure. Potential solutions involve capping the copper with ultrathin cobalt films. We report the properties of cobalt films after deposition on polycrystalline Cu at 265 °C by atomi
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry - Part C; 20240101, Issue: Preprints
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts. :1091-1091
This talk explores the area-selective atomic layer deposition (A-SALD) of cobalt on copper versus silicon dioxide and a porous low-k dielectric. Cobalt reduces copper electromigration as a capping layer on the copper metal line in back end of line ap
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chemistry of Materials; Apr2014, Vol. 26 Issue 8, p2642-2646, 5p
Publikováno v:
Development; December 1998, Vol. 125 Issue: 23 p4617-26, 10p