Výsledky vyhledávání - "Tyagulsky, I.P."

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures

Autor: Lysenko, V.S., Tyagulsky, I.P., Osiyuk, I.N., Nazarov, A.N.

The results of experiments on the influence of recharging the electron traps in a Si-SiO₂ transition layer on the low-temperature characteristics of fully depleted silicon in insulator MOSFET devices are presented. It is shown that the low-dose gam

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::34d8fdbf7dcb4f2e0fa787f8872fa2ee
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117890

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání