Zobrazeno 1 - 10
of 69
pro vyhledávání: '"Turkevich, Vladimir"'
Publikováno v:
Journal of Physical Chemistry C, 122 [15] 8505-8509 (2018)
Phase relations in the B-BN system have been studied ex situ and in situ at pressures 2-20 GPa and temperatures up to 2800 K. The evolution of topology of the B-BN phase diagram has been investigated up to 24 GPa using models of phenomenological ther
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1801.00425
Autor:
Slipchenko, Kateryna, Bushlya, Volodymyr, Stratiichuk, Denys, Petrusha, Igor, Can, Antionette, Turkevich, Vladimir, Ståhl, Jan-Eric, Lenrick, Filip
Publikováno v:
In Journal of the European Ceramic Society September 2022 42(11):4513-4527
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Superhard Materials, 38 [3] 216-218 (2016)
The evolution of topology of the B-B2O3 phase diagram has been studied at pressures up to 24 GPa using models of phenomenological thermodynamics with interaction parameters derived from experimental data on phase equilibria at high pressures and high
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1602.06677
Autor:
Slipchenko, Kateryna, Bushlya, Volodymyr, Stratiichuk, Denis, Turkevich, Vladimir, Ståhl, Jan-Eric
Publikováno v:
In Procedia CIRP 2021 101:254-257
Publikováno v:
Journal of Superhard Materials, 36 [5] 358-360 (2014)
The evolution of topology of the B-C phase diagram has been studied at pressures up to 24 GPa using models of phenomenological thermodynamics with interaction parameters derived from experimental data on phase equilibria at high pressures and high te
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1410.4073
Autor:
Porowski, Sylwester, Sadovyi, Bogdan, Gierlotka, Stanislaw, Rzoska, Sylwester J., Grzegory, Izabella, Petrusha, Igor, Turkevich, Vladimir, Stratiichuk, Denys
Results solving the long standing puzzle regarding the phase diagram and the pressure evolution of the melting temperature Tm(P) of gallium nitride (GaN), the most promising semiconducting material for innovative modern electronic applications, are p
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1408.3254
Autor:
Slipchenko, Kateryna, Turkevich, Vladimir, Petrusha, Igor, Bushlya, Volodymyr, Ståhl, Jan-Eric
Publikováno v:
In Procedia Manufacturing 2018 25:322-329
Autor:
Slipchenko, Kateryna, Petrusha, Igor, Turkevich, Vladimir, Johansson, Jakob, Bushlya, Volodymyr, Ståhl, Jan-Eric
Publikováno v:
In Procedia CIRP 2018 72:1433-1438
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.