Zobrazeno 1 - 10
of 40
pro vyhledávání: '"Tunnel field effect transistors (TFET)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 3, Iss 3, Pp 96-102 (2015)
In this paper, InAs/GaSb nanowire tunnel field-effect transistors (TFETs) are studied theoretically and experimentally. A 2-band 1-D analytic tunneling model is used to calculate the on- and off-current levels of nanowire TFETs with staggered source/
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/95dd875134b04f74a3c9dd387929d328
This paper investigates the digital circuit-level performance of an inverter realised with n- and p-type tunnel field-effect transistors (TFETs) integrated on the same InAs/ Al 0.05 Ga 0.95 Sb tech nology platform in the presence of interface traps a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a1291fa656baa0bf9af714ef99483e54
http://hdl.handle.net/11585/728246
http://hdl.handle.net/11585/728246
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bordallo, Caio C. M., Martino, Joao Antonio, Agopian, Paula G. D. [UNESP], Alian, Alireza, Mols, Yves, Rooyackers, Rita, Vandooren, Anne, Verhulst, Anne S., Simoen, Eddy, Claeys, Cor, Collaert, Nadine
Publikováno v:
Web of Science
Repositório Institucional da UNESP
Universidade Estadual Paulista (UNESP)
instacron:UNESP
Repositório Institucional da UNESP
Universidade Estadual Paulista (UNESP)
instacron:UNESP
Made available in DSpace on 2018-11-26T15:44:52Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2017-09-01 Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) Imec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::44c9c72fce7e79b4fa96c2deb2971b26
A simulation study on the impact of interface traps (ITs) and strain on the I/V characteristics of co-optimized n- and p-type tunnel field-effect transistors (TFETs) realized on the same InAs/Al 0.05 Ga 0.95 Sb technology platform is carried out usin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::419a281dc4525b912ec6826328782a2a
http://hdl.handle.net/11585/610868
http://hdl.handle.net/11585/610868
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 61:776-784
A novel approach to optimize tunnel field effect transistors (TFETs) by technology computer aided design simulations is reported. The most interesting outcome of our design effort is a dual metal gate (DMG) TFET, which features an inverse subthreshol
Autor:
Rita Rooyackers, Anne S. Verhulst, Aaron Thean, Nadine Collaert, Guido Groeseneken, Amey Mahadev Walke, Anne Vandooren, V. Ramgopal Rao, Marc Heyns, Eddy Simoen, Ben Kaczer
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 60:4065-4072
The role of trap-assisted tunneling (TAT) in the degradation of the subthreshold swing (SS) in n-type line tunnel field-effect transistors (TFETs) is investigated through the experiments and simulations. A two to fourfold increase in the interface st
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.