Zobrazeno 1 - 10
of 647
pro vyhledávání: '"Tunnel barrier"'
Autor:
Guerrieri Marco, Dinnella Nicola
Publikováno v:
Transport and Telecommunication, Vol 25, Iss 3, Pp 251-265 (2024)
Two main elements are essential in terms of road traffic safety. The first element is accident prevention and the second is the minimization of accident severity once a crash has occurred. Concrete safety barriers have very good anti-collision perfor
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ae83f5ffe5e9439e86724da309d8afd2
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 367-372 (2022)
The selector plays an important role in solving the leakage current issue in a large-scale memory crossbar array. Especially, the bidirectional selector has a broader application scope than the unidirectional one, since it can be connected with both
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/78764ffa63814061ba63d1efe824726a
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 12, Iss 24, p 4437 (2022)
Current–voltage characteristics of a quantum dot in double-barrier configuration, as formed in the nanoscale channel of silicon transistors, were analyzed both experimentally and theoretically. Single electron transistors (SET) made in a SOI-FET co
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/091aae6d05f64044a441f100bc549dc8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gunnar Suchaneck, Evgenii Artiukh, Nikolai A. Sobolev, Eugene Telesh, Nikolay Kalanda, Dmitry A. Kiselev, Tatiana S. Ilina, Gerald Gerlach
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 12, Iss 5, p 2717 (2022)
Thin-film strontium ferromolybdate is a promising material for applications in room-temperature magnetic tunnel junction devices. These are spin-based, low-power-consuming alternatives to CMOS in non-volatile memories, comparators, analog-to-digital
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/af3993e458b9421b8b1c3773eeacdbb5
Autor:
Thomas A. Zirkle, Matthew J. Filmer, Jonathan Chisum, Alexei O. Orlov, Eva Dupont-Ferrier, Joffrey Rivard, Matthew Huebner, Marc Sanquer, Xavier Jehl, Gregory L. Snider
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 10, Iss 24, p 8797 (2020)
Single-electron tunneling transistors (SETs) and boxes (SEBs) exploit the phenomenon of Coulomb blockade to achieve unprecedented charge sensitivities. Single-electron boxes, however, despite their simplicity compared to SETs, have rarely been used f
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d322d20fe10646308c56b665bcd00485
Publikováno v:
ChemistrySelect. 6:6916-6924
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.